SIR664DP-T1-GE3

功能描述:MOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV

RoHS:

制造商:Vishay Semiconductors

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:60 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:60 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):6 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

封装:Reel

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